日本研究员采用增材制造技术制备氮化铝覆铜基板

日本大阪大学接合科学研究所塚本雅裕教授与同和控股（集团）有限公司（DOWA）及岛津制作所共同开发的一项新技术，该技术利用蓝色半导体激光器的多光束增材制造方法，成功在氮化铝基板上形成纯铜薄膜。

功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。金属化陶瓷基板是功率半导体器件的重要组成部分，通常采用在陶瓷基板的两面接合铜板的方式。其中，典型的陶瓷基板是具有高导热性的氮化铝，目前的技术开发目标是提高其可靠性并降低成本。

传统上，氮化铝与铜的主流接合方法是AMB法（活性金属钎焊法），即使用含有活性金属的钎料进行接合。然而，塚本教授等人研究通过蓝色半导体激光器的多光束增材制造方法，使得氮化铝与铜的直接接合成为可能。这一研究成果通过低热输入和局部加热的创新技术，实现了氮化铝基板上纯铜的直接接合，提升了高可靠性，并有望减少材料损耗和制造工序，进而促进节能和碳中和社会的实现。