日本：多家企业大举进军8英寸键合碳化硅衬底

键合碳化硅衬底即指通过在低电阻多晶SiC支撑衬底上键合一层高质量的单晶SiC薄层，这些产品能够在保持单晶SiC特性的同时，也能实现整个衬底的低电阻和减少电流衰减，从而实现高性能和有竞争力的价格。近期，住友金属，Resonac（原昭和电工）以及东海碳素等日本企业纷纷进军该领域，以下为更加详细的报道。

esonaRc（原昭和电工）

2024年9月24日，Resonac（原昭和电工）官网宣布，他们与Soitec签订了联合开发协议，双方将共同开发8英寸SiC——Resonac将在8英寸衬底制造中采用Soitec的Smart SiC?技术，*终提高8英寸碳化硅外延的生产效率，并实现碳化硅外延片业务供应链的多样化。

住友金属

2024年9月27日，住友金属矿山株式会社（以下简称“住友金属”）及其全资子公司Sicoxs Coparation宣布，将在Sicoxs的Ohkuchi工厂建设一条新的8英寸（200mm）SiCkrest大规模生产线，SiCkrest为直接键合的碳化硅（SiC）衬底。住友金属预计，随着8英寸衬底生产线的建成，到2025财年下半年，键合SiC衬底的月产能将超过10,000片（6英寸等效）。同时，Sicoxs还计划开始向其被许可方供应多晶SiC支撑基板。

东海碳素

据日媒报道，2024年8月，碳和石墨产品综合制造商东海碳素（Tokai Carbon）拟投资54亿日元（折合人民币约为2.7亿元）在日本神奈川县茅崎市建立一条多晶SiC晶圆专线，并预计将于2024年12月完成建设。

东海炭素开发的用于功率半导体的SiC晶圆，被称为“层压SiC晶圆”。层压SiC晶圆是通过将带有预刻槽的单晶SiC晶圆与多晶SiC晶圆键合，然后加热剥离刻槽部分，在作为衬底的多晶SiC晶圆上形成单晶SiC薄膜而制成的。由于单晶SiC层是薄膜，单晶SiC晶圆可重复使用10次以上，一张单晶SiC晶圆可生产10张以上的键合晶圆。

此前报道，今年5月，东海炭素与法国半导体材料制造商Soitec就多晶SiC晶圆达成合作，公司将在中长期内为Soitec供应6英寸和8英寸多晶SiC晶圆。

除了在日本茅崎市基地设立多晶SiC专线外，东海炭素还计划在其位于韩国京畿道安城市的现有工厂生产多晶SiC。