近日,国瓷赛创电气(铜陵)有限公司(以下简称“国瓷赛创”)在安徽铜陵经开区举行陶瓷金属化项目开工奠基仪式。
据了解,该项目总投资1.5亿元,将建成2#厂房、综合楼B座,2#辅助用房工程共计28000㎡,打造一条以国瓷赛创自有核心技术主导的高端陶瓷金属化产品生产线。项目扩建后,国瓷赛创所承接的陶瓷薄膜金属化各类产品,将引导国瓷材料进军薄传感器、微波雷达器件、激光热沉、功率电源模块,IGBT等更多高端精密陶瓷制品的应用领域。该项目可以提高现有产品的生产效率和产品交付能力,推动国瓷赛创技术创新和制造能力迈向新台阶,更将会打破高端陶瓷金属化产品被国外技术垄断的困境。
随着电子技术的不断进步,散热问题已经逐渐成为限制功率型电子产品朝着大功率与轻型化方向发展的瓶颈。陶瓷基板是功率模块中常用的材料,具有特殊的热、机械和电气特性,是适用于要求严苛的电力电子应用的理想之选,近年来受到国内外企业广泛关注。目前电力电子用金属化陶瓷基板种类有AMB、DBC、DBA、DPC等。国外金属化陶瓷基板厂商主要为欧美日韩企业,主要产品类型以AMB、DBC、DBA为主。
对于陶瓷基板,需要通过其实现电气连接。因此,陶瓷基板在烧结成型之后,需对其表面实施金属化,然后通过影像转移的方法完成表面图形的制作。由于多数金属对陶瓷基板不能直接润湿,故陶瓷基板金属化随之成为行业关键问题,金属化的优劣可以直接决定芯片的电路集成度和使用可靠性。普遍存在加工温度过高、金属膜层含有杂质导致电导率不高,生产过程存在污染,尤其是电镀技术,对环保挑战大。因此,如何在陶瓷表面实施金属化并改善二者之间的结合力成为众多科技人员研究的重点。
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