“十四五”国家重点研发计划“面向第三代半导体应用的高频软磁材料”项目研讨会顺利召开

6月6日，“十四五”国家重点研发计划 “面向第三代半导体应用的高频软磁材料”项目研讨会在北京顺利召开，安泰科技作为课题四“第三代半导体电源模块关键技术集成研究与应用”的牵头单位参加会议并作交流。

本项目由东南大学牵头，安泰科技作为从事非晶合金生产技术研发与制造的领军企业，凭借在该领域的深厚技术积累和*实力，牵头组织实施课题四的研究内容，为项目顺利开展提供了坚实支撑。

研讨会上，安泰科技非晶制品分公司总经理刘天成就第三代半导体电源模块关键技术集成研究与应用进行了详细汇报，基于公司开发的高性能纳米晶软磁合金，课题参研单位顺利完成了SiC半导体器件可编程电源和GaN半导体器件充电电源设计、样机制作、第三方性能检测及应用示范，达到考核指标要求。

总体专家组副组长张世超教授、责任专家王海北教授对项目整体进展情况给予高度评价，对安泰科技在项目中取得的成果和做出的贡献给予充分肯定。专家组认为，项目技术指标已提前完成，标志着我国在开发适用于 SiC/GaN 第三代半导体功率电源和高端电感器件的高性能软磁材料体系及其制备工艺技术方面取得了重大突破。

未来，安泰科技将继续携手项目团队，深入研究材料高频损耗及磁化作用机理，致力于实现新型高性能软磁材料在 SiC/GaN 第三代半导体高频电源、高端电感等元器件中的关键技术集成与示范应用，为提升我国相关高技术领域的技术竞争力贡献力量，持续巩固行业领军地位，*高频软磁材料技术发展新潮流。